Recently, the national key research and development project team led by Prof. Ruan Shuangchen of Shenzhen University of Technology (SZUT), under the support of the project of "Crystal Thin-Film Processing and Preparation of New Generation of Gain Devices" of the National Key Research and Development Program of the Ministry of Science and Technology (MOST), has made important progress in research on the key scientific issues of crystal thin-film processing and preparation of new generation of gain devices. We are the first one in China to realize the crystal packaging of Yb:YAG wafer with diameter >20 ملی میٹر، اور کلو واٹ کلاس کا 48-سٹروک پمپنگ سسٹم ڈیزائن کریں۔
ہائی پاور الٹرا فاسٹ لیزرز جدید مینوفیکچرنگ، انفارمیشن، مائیکرو الیکٹرانکس، طبی، توانائی، ملٹری اور دیگر شعبوں میں استعمال ہوتے ہیں، اور متعلقہ سائنسی اور تکنیکی ایپلی کیشن ریسرچ قومی تزویراتی ترقی کے فروغ کے لیے اہم ہے۔ لیزر گین ڈیوائس ہائی پاور الٹرا فاسٹ لیزر کا بنیادی بنیادی مواد ہے، جس پر دنیا کے تمام ممالک نے بہت زیادہ تشویش کا اظہار کیا ہے۔ بہترین بیم کوالٹی اور آپٹیکل سے آپٹیکل تبادلوں کی اعلی کارکردگی کے ساتھ پتلی فلم لیزرز کو صنعتی مینوفیکچرنگ اور بنیادی سائنسی تحقیق جیسے بہت سے شعبوں میں بڑے پیمانے پر استعمال کیا گیا ہے۔ تاہم، کلیدی بنیادی ٹیکنالوجیز کی کمی جیسے کہ پتلی فلم کے کرسٹل کی درستگی کی پروسیسنگ، ہیٹ سنک سسٹم کے ڈیزائن اور پیکنگ، اور گین ڈیوائسز کی تیاری نے چین میں ہائی پاور پتلی فلم لیزرز کی مزید ترقی کو سنجیدگی سے محدود کر دیا ہے۔
Relying on the Key Laboratory of Advanced Optical Precision Manufacturing Technology for Guangdong Universities, Shenzhen Key Laboratory of Laser Engineering, Sino-German Institute of Intelligent Manufacturing, and College of Engineering Physics, Shenzhen University of Technology has been carrying out the research on thin-flake laser technology since 2021, and adopted the self-developed thin-flake crystals with a diameter of 12 mm and regenerative amplification technology at the beginning of 2022 to realize the high power regenerative amplification of the resonance cavity through the chromatic dispersion compensation and the nonlinear effect control, the laser output with single pulse energy >500μJ، نبض کی چوڑائی<7.5ps, and average power >200W کا احساس ہوا، خاص طور پر بیم کوالٹی M2 کی بہترین کارکردگی<1.1 and optical-to-optical conversion efficiency >50%، جو گہا کے باہر انتہائی موثر نان لائنر فریکوئنسی کی تبدیلی کے لیے ایک ٹھوس بنیاد رکھتا ہے۔
The project team adopted wavelength-locked 969nm "zero-phonon line" pumping to achieve the highest continuous output power >1300W، تقریباً 80% کی زیادہ سے زیادہ آپٹیکل سے آپٹیکل تبادلوں کی کارکردگی کے ساتھ، جس کی بہترین کارکردگی کلو واٹ کلاس اوسط پاور اور 100 ایم جے کے انتہائی فاسٹ پتلی فلم لیزرز کی تحقیق کے لیے ایک اہم بنیاد رکھتی ہے۔
▲ (بائیں) 1000W@969nm پمپ (دائیں) 2000W@969nm پمپ
سائنس اور ٹیکنالوجی کی وزارت کے کلیدی R&D منصوبوں کے ذریعے، پروجیکٹ ٹیم قومی صنعتی سلامتی اور انجینئرنگ کی اہم تعمیراتی ضروریات، ہائی پاور لیزر مواد میں پیش رفت اور کلیدی بنیادی ٹیکنالوجیز کے آلات کے اطلاق، جدت طرازی کے سلسلے کے ذریعے کامیابیوں پر مبنی ہے۔ سٹریٹجک ہائی پاور لیزر کرسٹل کی تیاری اور تمام پہلوؤں میں مشترکہ کلیدی ٹیکنالوجیز کی درخواست میں، چین کی معلومات، توانائی، نقل و حمل، اعلی کے آخر میں سازوسامان اور بنیادی لیزر کرسٹل مواد اور آزاد کنٹرول کی صلاحیتوں کے آلات کے دیگر شعبوں کو بہتر بنانے کے لیے۔ یہ چین میں معلومات، توانائی، نقل و حمل اور اعلیٰ درجے کے آلات کے شعبوں میں کور لیزر کرسٹل مواد اور آلات کے آزادانہ کنٹرول کی صلاحیت کو بہتر بنائے گا، اور نئی توانائی، 3C الیکٹرانکس، اعلیٰ درجے کی مینوفیکچرنگ اور دیگر اعلیٰ صنعتوں کی ترقی میں مدد کرے گا۔ ٹیک انڈسٹریز۔
